去年全球還在高呼芯片短缺，今年以來諸多芯片行業(yè)就陸續(xù)出現(xiàn)芯片供給過剩，近期分析機構(gòu)指出存儲芯片行業(yè)庫存高企導(dǎo)致芯片價格暴跌，已較年初下滑三成，業(yè)界擔(dān)憂存儲芯片價格將繼續(xù)下跌。

存儲芯片庫存高企在于多項因素造成的，首先就是需求下跌，今年以來對存儲芯片需求較大的PC和手機都出現(xiàn)銷量下滑，其中手機的銷量下滑最為明顯，一季度全球市場的手機出貨量下滑8．9％，直接導(dǎo)致中國手機企業(yè)砍單2．7億部，隨后三星也被傳出砍單5000萬。

其次是芯片產(chǎn)能增加，由于2020年以來的芯片供應(yīng)短缺，全球幾大存儲芯片企業(yè)都在加緊擴張產(chǎn)能，2019年的時候全球最大的存儲芯片企業(yè)三星就曾宣布將向西安工廠投資80億美元擴張產(chǎn)能，提升它在全球存儲芯片市場的占有率，如今這些存儲芯片企業(yè)的新建生產(chǎn)線陸續(xù)投產(chǎn)。

中國大陸剛進入存儲芯片行業(yè)不久的長江存儲和合肥長鑫也在這幾年陸續(xù)投產(chǎn)，目前它們的NAND flash、DRAM存儲芯片都已上市銷售一年多，業(yè)界預(yù)期長江存儲將在今年取得全球存儲芯片市場超7％的市場份額而超越Intel成為第六大NAND flash廠商，中國廠商進入存儲芯片行業(yè)也大幅增加了存儲芯片的產(chǎn)能。

再次是技術(shù)的升級推動了存儲芯片的供應(yīng)量大幅增長，過去數(shù)年全球NAND flash存儲芯片從32層3D NAND發(fā)展到128層 3D NAND，單位體積的GB容量增長了三倍多，技術(shù)的快速升級在推動產(chǎn)量增長的同時也不斷降低成本。

一方面是需求的顯著下滑，另一方面則是技術(shù)升級和產(chǎn)能增加，最終導(dǎo)致了如今的存儲芯片供應(yīng)過剩已相當(dāng)嚴重，特別是NAND flash的供應(yīng)過剩尤為嚴重，業(yè)界人士指出部分存儲芯片企業(yè)的存儲芯片已堆積如山，然而存儲芯片企業(yè)是無法停止生產(chǎn)的，因此庫存只會越來越嚴重。

在此時中國大陸的兩大存儲芯片企業(yè)的二期項目正如火如荼推進，其中長江存儲的二期項目預(yù)計今年底就能投產(chǎn)。據(jù)合肥長鑫和長江存儲披露的信息顯示它們的二期項目產(chǎn)能將是目前投產(chǎn)產(chǎn)能的兩倍，這意味著它們的二期項目在明年全數(shù)投產(chǎn)后，中國的存儲芯片產(chǎn)能將再增加兩倍。

在當(dāng)前存儲芯片進入下行周期之際，中國存儲芯片逆周期擴張，此舉對于中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)來說或許是好事，因為中國的芯片制造成本比美日韓同行更低，在下行周期，誰的成本更低就更容易獲利。

逆周期擴張的策略最先是三星采用的，三星在存儲芯片市場多次推進逆周期擴張，導(dǎo)致日本存儲芯片企業(yè)的市場份額日益萎縮，日本的存儲芯片企業(yè)爾必達更因此而破產(chǎn)，最終成就韓國企業(yè)在全球存儲芯片市場取得第一名，中國存儲芯片如此做可望復(fù)制三星的路徑。

相比起韓國的存儲芯片企業(yè)，中國的存儲芯片企業(yè)更有中國制造兜底，畢竟中國制造需要大量存儲芯片，無論中國兩家存儲芯片企業(yè)生產(chǎn)多少，國內(nèi)市場都能消化，這更是中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)的底氣，可以預(yù)期中國存儲芯片將很快突圍而出，在全球存儲芯片市場奪取更多市場份額，甚至在未來數(shù)年有望挑戰(zhàn)韓國存儲芯片企業(yè)。

       原文標題 : 存儲芯片庫存高企致價跌三成，中國芯片逆勢擴張將取更多市場份額