1. 每個(gè)參與者最多獲取一個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)。
2. 第一輪未獲獎(jiǎng)?wù)?，可繼續(xù)參與第二輪抽獎(jiǎng)。
3. 如因故無(wú)法提供原定獎(jiǎng)品，主辦發(fā)將提供其他相同價(jià)值產(chǎn)品。
4. 獎(jiǎng)品以實(shí)物為準(zhǔn)，不能兌換成現(xiàn)金，圖片僅供參考。
溫馨提示:如因注冊(cè)報(bào)名信息不全，導(dǎo)致在活動(dòng)結(jié)束前無(wú)法與您取得聯(lián)系，將視為自動(dòng)放棄領(lǐng)獎(jiǎng)機(jī)會(huì)。
對(duì)于模擬、混合信號(hào)和RF測(cè)試，傳統(tǒng)ATE的測(cè)試覆蓋
范圍往往無(wú)法跟上半導(dǎo)體技術(shù)需求變化的腳步。
一個(gè)?適用?于?從?特性?分析?到?生產(chǎn)?的?平臺(tái)?方法，?為?RF?和?混合?信號(hào)?測(cè)試?提供?了?更?低成本?的?高性能?測(cè)試?解決?方案。
NI?半導(dǎo)體?測(cè)試?客戶?反映：?在?滿足?測(cè)量?和?性能?要求?的?同時(shí)，?測(cè)試?時(shí)間?縮短?了?10?倍。
NI?產(chǎn)品?提供?了?業(yè)界?領(lǐng)先?的?測(cè)量?精度，?并?通過(guò)?NI?校準(zhǔn)?和?系統(tǒng)?服務(wù)?來(lái)?確保?精度?的?長(zhǎng)期?有效性。
隨著無(wú)線技術(shù)的增加和產(chǎn)品上市時(shí)間的日益縮短，工程師需要采用一種更高效和靈活的方法來(lái)測(cè)試射頻集成電路（RFIC），以便降低開(kāi)發(fā)和測(cè)試成本。
工程師能夠在在不犧牲測(cè)量質(zhì)量和準(zhǔn)確性的同時(shí)，構(gòu)建高度并行的晶圓級(jí)可靠性系統(tǒng)。
工程師設(shè)計(jì)的PMIC測(cè)試解決方案必須能夠滿足未來(lái)技術(shù)要求，而且還要降低總體成本。
NI的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)（Semiconductor Test System,簡(jiǎn)稱STS）提供了可快速部署到生產(chǎn)的測(cè)試系統(tǒng)，適用于半導(dǎo)體生產(chǎn)測(cè)試環(huán)境。此外，PXI平臺(tái)開(kāi)放式與模塊化的設(shè)計(jì)，使您可以獲得更強(qiáng)大的計(jì)算能力及更豐富的儀器資源，進(jìn)一步提升半導(dǎo)體測(cè)試效率，降低測(cè)試成本。
NI覆蓋實(shí)驗(yàn)室特征分析、晶圓測(cè)試（WAT,CP,晶圓可靠性測(cè)試等）、FT測(cè)試以及SLT系統(tǒng)級(jí)測(cè)試的方案，不論是設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓制造、封裝過(guò)程中或是封裝完成，針對(duì)RFIC、混合信號(hào)芯片、甚至最新3D IC和系統(tǒng)封裝（SiP）等不同測(cè)試類型和趨勢(shì)，NI通過(guò)統(tǒng)一的平臺(tái)和業(yè)界領(lǐng)先的儀器技術(shù)助您提高測(cè)試速度、降低測(cè)試成本。
提供從射頻前端模塊測(cè)試，分立射頻元件，射頻收發(fā)機(jī)到射頻MCU的領(lǐng)先RFIC測(cè)試解決方案?；谀K化平臺(tái)設(shè)計(jì)，NI RFIC解決方案能輕松實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)室特征分析到量產(chǎn)測(cè)試的快速轉(zhuǎn)換，大幅減少測(cè)試時(shí)間和成本。
