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半導體成新資本洼地,國產(chǎn)化浪潮勢不可擋

2020-07-10 15:57
劉曠
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另一方面,近年伴隨信息技術從移動互聯(lián)網(wǎng)向物聯(lián)網(wǎng)方向邁進,半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展也迎來了變革的契機。

自2010年左右的智能手機加速普及開始,智能手機含硅量的不斷提升,成為推動全球半導體行業(yè)快速發(fā)展的主要動力。在這個過程中,中國企業(yè)在全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的參與度越來越高,比如華為海思的芯片設計能力,就是在此階段內(nèi)獲得了快速提升。

近一兩年,5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新一代的信息技術加速商業(yè)化落地,這使得半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迎來了新的機會和動力。比如華為、阿里和百度都推出了自己設計的AI芯片,但依然還需要下游的芯片制造廠商配合才能造出成品。

總之,無論是國家智能制造發(fā)展的需要,還是新的信息技術提供的機會,都一定會推動半導體產(chǎn)業(yè)未來快速發(fā)展,資本看重的正是半導體產(chǎn)業(yè)的這一光輝前景。

國產(chǎn)半導體迎突破

中國是全球最大的半導體消費市場和應用市場,本身就具備巨大的市場優(yōu)勢。中國通信學會數(shù)據(jù)顯示,2018年全球手機終端的出貨量達20億臺,其中15億臺由中國加工制造,11億臺出口。

而在資本的加持下,近兩年半導體制造,乃至更上游的半導體設備和半導體材料等領域都在盡力追趕世界先進水平,整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈的短板在慢慢被補齊。比如前文提到的長江儲存在3D NAND閃存領域追平國際先進水平。

再比如中芯國際2019年實現(xiàn)了14nm FinFET正式量產(chǎn),先進制程節(jié)點帶動國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈同步快速發(fā)展,大量采用了北方華創(chuàng)等國產(chǎn)廠商的半導體設備。

但本次科創(chuàng)板上市期間,高盛對中芯國際的技術升級路線作出了預測,認為中芯國際2022年可升級到7nm工藝,2024年下半年將升級到5nm工藝,到達今年臺積電的水平。也就是說,在集成電路芯片制造領域,目前我國與世界先進水平還存在4年左右的差距。當然,在中芯國際等國內(nèi)企業(yè)的盡力追趕下,相信這個差距有可能會進一步縮小。

現(xiàn)實差距客觀存在,但不必因此沮喪,因為時間是站在我們這一邊的。

全球半導體產(chǎn)業(yè)加速向中國轉(zhuǎn)移

近幾年全球半導體產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移的歷史趨勢,已經(jīng)得到了事實驗證。

開源證券分析,隨著中國半導體制造業(yè)的迅猛發(fā)展,設備需求不斷增長,2019年以149億美元的市場規(guī)模居全球第二位,并有望在2021年躍居首位。

半導體設備市場規(guī)模的急速擴張,意味著我國的半導體生產(chǎn)能力在不斷提高,半導體自給率也在不斷提升。

美國集成電路研究公司數(shù)據(jù)顯示,截至2019年12月,中國臺灣、韓國、日本的半導體生產(chǎn)能力位居世界前三,中國大陸排名第四,但已超過美國。中國大陸有望在2020年排名第三,2022年升至第二位。事實上,全球半導體產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移的速度正在不斷加快。

中國正處于全球半導體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移的歷史機遇期。同時硅芯片制造工藝逼近物理極限,也為中國企業(yè)追趕世界一流技術水平留下了時間窗口。

當前,中國半導體產(chǎn)業(yè)正處于產(chǎn)業(yè)升級的關鍵階段,掌握核心技術是中國半導體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)階段最重要的目標。為了實現(xiàn)這一目標,中國半導體企業(yè)都在全力以赴地攻堅克難,當然,這個過程中資本的助力也是不可或缺的。

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