SiP技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于:

融合多種技術(shù)

能夠在一個(gè)封裝中集成多種技術(shù)和組件,例如組合MEMS和CMOS。這種組合對(duì)于傳統(tǒng)IC是不可能的。雖然MEMS和CMOS器件有許多相似之處,但也有一些關(guān)鍵區(qū)別。首先是需要一種方法將感知傳遞給MEMS器件,因?yàn)樗鼈儽仨毰c環(huán)境相互作用;其次,MEMS器件的擴(kuò)展方式與CMOS不同工藝的擴(kuò)展方式不同。

采用多種工藝

SiP技術(shù)提供的集成對(duì)可穿戴設(shè)備、智能燈或智能家居等應(yīng)用特別有價(jià)值,因?yàn)檫@些產(chǎn)品的空間和尺寸非常重要。從實(shí)際應(yīng)用看,SiP設(shè)計(jì)方案融合了晶圓級(jí)封裝(WLP)、2．5D或3D結(jié)構(gòu)、倒裝芯片(flip-chip)、引線鍵合、封裝體疊層(package-on-package)等工藝;還可以嵌入無(wú)源器件、共形屏蔽、濾波器和天線。

典型IoT方案的幾種SiP封裝

融合MEMS傳感器

MEMS傳感器需要與環(huán)境交互以進(jìn)行聲音、光或氣體檢測(cè)。使用MEMS封裝通常要從QFN封裝遷移到基于層壓板的封裝。層壓板設(shè)計(jì)可以采用腔基封裝或混合腔封裝,其中封裝的一半是模壓的,另一半是為MEMS器件提供一個(gè)空腔。這種模壓器件更能承受惡劣的環(huán)境。

實(shí)現(xiàn)IoT標(biāo)準(zhǔn)化封裝

目前,MEMS、傳感器及IoT器件的封裝設(shè)計(jì)還很零散。設(shè)計(jì)人員希望多個(gè)項(xiàng)目重用相同的封裝,即使這些封裝并不總是與特定應(yīng)用兼容。MEMS、傳感器封裝的標(biāo)準(zhǔn)化將有助于降低成本和加快MEMS的采用,增強(qiáng)制造商將新產(chǎn)品推向市場(chǎng)的信心。

FOWLP實(shí)現(xiàn)極致性能

摩爾定律在工藝技術(shù)上似乎已走到了盡頭,所以先進(jìn)封裝技術(shù)正在接棒,如扇出晶圓級(jí)封裝(FOWLP)就可以提高組件密度和性能,有助于解決芯片I/O限制。不過(guò),成功的關(guān)鍵是從芯片設(shè)計(jì)開(kāi)始。

現(xiàn)在,FOWLP已經(jīng)在移動(dòng)設(shè)備的批量生產(chǎn)中使用。其封裝過(guò)程包括將單個(gè)芯片安裝在稱為重分布層(RDL)的中間層基板上,該層提供芯片之間的互連以及與I/O焊盤(pán)的連接,所有這些芯片都封裝在一個(gè)模壓成型中。

所謂扇出封裝,是將連接件扇出到芯片表面,以便實(shí)現(xiàn)更多外部I/O,使用環(huán)氧模壓化合物完全嵌入片芯(die),因此不需要晶圓植球、熔劑、倒裝芯片組裝、清洗、底填料注入和固化等工藝流程。這反過(guò)來(lái)又消除了中間層,并使異構(gòu)集成的實(shí)現(xiàn)更加簡(jiǎn)單。

扇出技術(shù)可以提供比其他封裝類型更多I/O的小尺寸封裝。早在2016年,蘋(píng)果就憑借臺(tái)積電(TSMC)的集成扇出(integrated fan-out,InFO)晶圓級(jí)封裝技術(shù),將其16nm A10應(yīng)用處理器與移動(dòng)DRAM集成到iPhone 7內(nèi)部的一個(gè)封裝中,為應(yīng)用處理器提供更好的熱管理。TSMC的InFO使蘋(píng)果實(shí)現(xiàn)了非常薄的封裝體疊層(PoP,Package-on-Package)。

TSMC的InFO技術(shù)

InFO平臺(tái)的再分布層技術(shù)將硅片直接連接到PCB層,而無(wú)需另一層基板。臺(tái)積電設(shè)計(jì)的互連通孔(TIV)可以提供支柱,使用混合垂直和水平互連技術(shù)連接不同的硅片或組件。InFO體現(xiàn)了其短垂直和長(zhǎng)水平連接之間的連接,加速了信息的傳播。

作為對(duì)WLP的改進(jìn),FOWLP技術(shù)可以提供更多與硅片芯的外部接點(diǎn)。它將芯片嵌入環(huán)氧模壓料中,然后在晶圓表面制造高密度RDL和錫球,形成一個(gè)重組晶圓。

通常,它首先將前道處理過(guò)的晶圓切成單獨(dú)的片芯,然后將片芯在載體結(jié)構(gòu)上隔開(kāi),其空隙被填滿形成一個(gè)重組晶圓。FOWLP在封裝和應(yīng)用板之間提供了大量的連接。此外,基板基本上比片芯大,因此片芯間距更為寬松。