MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。 M查看詳情>RAM主體結(jié)構(gòu)由三層結(jié)構(gòu)的MTJ（magnetic tunnel junction）構(gòu)成：自由層（free layer），固定層（fixed layer）和氧化層（Tunneling oxide）。自由層與固定層的材料分別是CoFeB和MgO。STT-MTJ利用自由層和固定層磁矩方向來存儲(chǔ)信息，平行狀態(tài)（parallel），電阻為低阻；非平行狀態(tài)（anti-parallel），電阻為高阻。存儲(chǔ)器讀取電路是通過加載相同的電壓判斷輸出電流的大小從而判斷存儲(chǔ)器的信息。
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PCM和MRAM將在獨(dú)立存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先
前言:實(shí)現(xiàn)硬件方面的復(fù)興,才能充分挖掘人工智能時(shí)代的潛力。在性能、功耗和密度(面積/成本)方面得到顯著改善的新興存儲(chǔ)可以滿足邊緣計(jì)算、近邊緣和云計(jì)算的需求。
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